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Molibdeno tondo

Attributo:
Modalità di produzione:
Esistono tre principali metodi per produrre wafer rotondi in molibdeno:

(1) Taglio a filo di barre di molibdeno. Il metodo di produzione a filo tagliente su barre di molibdeno comporta minori perdite geometriche e un rendimento più elevato, ma l’efficienza del taglio a filo è bassa. Inoltre, dopo la lavorazione di arrotondamento, la dimensione dei grani sul bordo e al centro della superficie rotonda tende facilmente a risultare non uniforme; tale processo si trova tuttora nella fase di ricerca sperimentale.

(2) Pressatura diretta e sinterizzazione della polvere di molibdeno. Il rendimento del metodo di pressatura e sinterizzazione della polvere di molibdeno è superiore a (1), ma la densità è bassa, la resistenza è scarsa e la struttura granulare presenta un disordinato allineamento; gli utenti hanno riscontrato che, durante l’uso, quando il materiale viene laminato con wafer di silicio, si verifica facilmente la formazione di crepe o fratture; tale processo necessita comunque di ulteriori miglioramenti;

(3) Punzonatura della lamiera di molibdeno.

Panoramica
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Parametro:

Processo	laminazione, ricottura in vuoto
Superficie	superficie lucidata, superficie laminata a freddo, superficie lavata con alcali
Caratteristiche	Alta resistenza alla temperatura e alla corrosione
Caratteristiche	Alta resistenza alla temperatura e alla corrosione
Contenuto di Molibdeno	99.95%
Specifiche	Personalizzabile

Caratteristiche del prodotto

Il disco in molibdeno è un componente circolare in metallo refrattario realizzato partendo da blocchi di molibdeno ad alta purezza mediante forgiatura, laminazione, taglio di precisione e finitura superficiale. È un consumabile fondamentale nei settori del trattamento termico in vuoto, dei rivestimenti per semiconduttori, della produzione elettronica, della fusione delle terre rare e della sinterizzazione ad alta temperatura, grazie a un’ampia gamma di eccezionali proprietà fisiche e chimiche.

Innanzitutto, vanta un’eccezionale resistenza alle alte temperature. Il punto di fusione del molibdeno raggiunge i 2620 °C, pertanto il disco conserva una stabile resistenza meccanica e una perfetta planarità anche durante prolungati impieghi a temperature estremamente elevate. Offre un’elevata resistenza alla deformazione viscosa a caldo e non si piega, non si deforma né si fessura anche in caso di cicli ripetuti di riscaldamento e raffreddamento. Grazie al suo coefficiente di espansione termica estremamente basso, le sue dimensioni complessive rimangono quasi invariate anche in presenza di brusche escursioni termiche, garantendo così un’accuratezza costante nelle lavorazioni di precisione.

Dal punto di vista delle prestazioni termiche ed elettriche, il disco in molibdeno offre una conducibilità termica bilanciata e uniforme, garantendo una distribuzione omogenea del calore quando viene utilizzato come piastra portante del calore nei forni a vuoto. La sua conducibilità elettrica stabile lo rende ideale come substrato per elettrodi e come disco portante conduttivo. Inoltre, genera una pressione di vapore trascurabile negli ambienti a vuoto, non rilasciando impurità volatili che potrebbero contaminare le camere dei forni o le wafer per semiconduttori, soddisfacendo pienamente i rigorosi standard di pulizia richiesti dai processi di sputtering a film sottile.

Chimicamente, il disco mostra una resistenza alla corrosione affidabile contro la maggior parte degli acidi diluiti, delle basi e dei metalli non ferrosi fusi a temperatura ambiente e a temperature medie. L’ossidazione avviene appena in condizioni di vuoto o sotto protezione con gas inerti; una leggera ossidazione superficiale si manifesta soltanto quando la temperatura supera i 400 °C in aria aperta. Rimane inerte rispetto al vetro fuso, alle ceramiche e alle fusioni di terre rare, prevenendo contaminazioni incrociate durante le operazioni di sinterizzazione e fusione.

Applicazioni
La composizione chimica della lamina di molibdeno è stabile, con un contenuto di molibdeno fino al 99,9%, dimensioni precise e bassa rugosità superficiale, che può raggiungere valori inferiori a Ra 1,6 µm; alto punto di fusione, buona conducibilità elettrica e termica, elevata resistenza meccanica, coefficiente di espansione lineare simile a quello del silicio e ottime caratteristiche di lavorabilità: è un materiale di substrato indispensabile per gli insiemi completi di raddrizzatori al silicio, i dispositivi semiconduttori in silicio, gli anodi per tubi a vuoto e la produzione di strumenti.