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Molybdène rond

Attribut :
Mode de production :
Il existe trois procédés principaux de fabrication des tranches rondes de molybdène :

(1) Découpe par fil de tige en molybdène. La méthode de découpe par fil de tige en molybdène entraîne moins de pertes géométriques et un rendement plus élevé, mais l’efficacité de la découpe par fil est faible. Par ailleurs, la taille des grains sur le bord et au centre de la surface ronde risque d’être inhomogène après arrondissage, ce procédé étant encore à un stade de recherche expérimentale.

(2) Pressage direct et frittage de la poudre de molybdène. Le rendement de la méthode de pressage et de frittage de la poudre de molybdène est supérieur à celui de (1), mais la densité est faible, la résistance mécanique est médiocre et la structure des grains est désordonnée ; les utilisateurs ont constaté, lors de l’utilisation, que le laminage avec une plaquette de silicium entraîne facilement des fissures ou des ruptures, ce qui nécessite encore des améliorations ;

(3) Poinçonnage de tôles en molybdène.

Aperçu
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Paramètre :

Procédé	laminage, recuit sous vide
Surface	surface polie, surface laminée à froid, surface dégraissée à l’alcali
Caractéristiques	Résistance élevée à la température et à la corrosion
Caractéristiques	Résistance élevée à la température et à la corrosion
Teneur en molybdène	99.95%
Spécifications	Personnalisable

Caractéristiques du produit

Le disque en molybdène est un composant circulaire en métal réfractaire fabriqué à partir de billettes de molybdène de haute pureté par forgeage, laminage, découpe de précision et finition de surface. Il constitue une consommable essentielle dans les domaines du traitement thermique sous vide, du revêtement de semi-conducteurs, de la fabrication électronique, de la fusion des terres rares et du frittage à haute température, grâce à un ensemble complet de propriétés physiques et chimiques remarquables.

Tout d’abord, il offre une résistance exceptionnelle aux hautes températures. Le point de fusion du molybdène atteint 2620 °C, ce qui permet au disque de conserver une résistance mécanique stable et une planéité parfaite lors d’un service prolongé à ultra-haute température. Il présente une excellente résistance au fluage à haute température et ne se déforme, ne s’affaisse ni ne fissure pas sous l’effet de cycles répétés de chauffage et de refroidissement. Grâce à un coefficient de dilatation thermique extrêmement faible, ses dimensions globales restent quasiment inchangées malgré des variations brutales de température, garantissant ainsi une précision d’usinage stable pour les équipements de haute précision.

Sur le plan des performances thermiques et électriques, le disque en molybdène offre une conductivité thermique équilibrée et uniforme, permettant une répartition homogène de la chaleur lorsqu’il est utilisé comme plaques supportant la chaleur dans les fours à vide. Sa conductivité électrique stable le rend parfaitement adapté aux substrats d’électrodes et aux disques porteurs conducteurs. En outre, il génère une pression de vapeur négligeable dans les environnements sous vide et ne libère aucune impureté volatile susceptible de contaminer les chambres de four ou les wafers semi-conducteurs, répondant ainsi pleinement aux normes de propreté très strictes des procédés de pulvérisation sous vide (sputtering).

Chimiquement, le disque présente une résistance fiable à la corrosion face à la plupart des acides dilués, des alcalis et des métaux non ferreux en fusion à température ambiante et à température modérée. L’oxydation est pratiquement inexistante sous vide ou sous protection de gaz inerte ; une oxydation superficielle légère n’apparaît que lorsque la température dépasse 400 °C à l’air libre. Il reste inerte face aux verres fondus, aux céramiques et aux métaux de terres rares en fusion, empêchant toute contamination croisée lors des procédés de frittage et de fusion.

Applications
La composition chimique de la plaquette de molybdène est stable, la teneur en molybdène atteint 99,9 %, les dimensions sont précises, la rugosité de surface est faible et peut descendre en dessous de Ra 1,6 µm ; point de fusion élevé, bonne conductivité électrique et thermique, résistance mécanique élevée, coefficient de dilatation linéaire proche de celui du silicium, bonnes propriétés d’usinage : il s’agit d’un matériau de substrat indispensable pour les ensembles complets de redresseurs au silicium, les composants semi-conducteurs en silicium, les anodes de tubes à vide et la fabrication d’instruments.