Atributo:
Modo de produção:
Existem três métodos principais para produzir wafers redondos de molibdênio:
(1) Corte a fio de barra de molibdênio. O método de corte a fio de barra de molibdênio apresenta menor perda geométrica e maior rendimento, mas a eficiência do corte a fio é baixa. Além disso, o tamanho de grão na borda e no centro da superfície circular tende a ficar desuniforme após o arredondamento, encontrando-se ainda na fase de pesquisa experimental.
(2) Prensagem direta e sinterização de pó de molibdênio. O rendimento do método de prensagem e sinterização de pó de molibdênio é maior do que o do método (1), mas a densidade é baixa, a resistência é fraca e a estrutura de grãos apresenta um arranjo desordenado; os usuários observaram, durante o uso, que, ao laminar com wafers de silício, o material tende a trincar ou fraturar, ainda necessitando de melhorias;
(3) Perfuração de chapas de molibdênio.
Parâmetro:
| Processo | laminação, recozimento a vácuo |
| Superfície | superfície polida, superfície laminada a frio, superfície lavada com álcali |
| Características | Alta resistência à temperatura e corrosão |
| Características | Alta resistência à temperatura e corrosão |
| Teor de Molibdênio | 99.95% |
| Especificações | Personalizável |
Aplicações:
A composição química da lâmina de molibdênio é estável, com teor de molibdênio de até 99,9%, dimensões precisas e baixa rugosidade superficial, podendo atingir Ra inferior a 1,6 µm; alto ponto de fusão, boa condutividade elétrica e térmica, alta resistência mecânica, coeficiente de expansão linear próximo ao do silício e excelente usinabilidade, sendo um material de substrato indispensável para conjuntos completos de retificadores de silício, dispositivos semicondutores de silício, ânodos de tubos de vácuo e fabricação de instrumentos.
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