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SÉRIE DE MOLIBDÊNIO

Série de Molibdênio
Início> Produtos >  Série Molibdênio

Molibdênio Redondo

Atributo:
Modo de produção:
Existem três métodos principais para produzir wafers redondos de molibdênio:

(1) Corte a fio de barra de molibdênio. O método de corte a fio de barra de molibdênio apresenta menor perda geométrica e maior rendimento, mas a eficiência do corte a fio é baixa. Além disso, o tamanho de grão na borda e no centro da superfície circular tende a ficar desuniforme após o arredondamento, encontrando-se ainda na fase de pesquisa experimental.

(2) Prensagem direta e sinterização de pó de molibdênio. O rendimento do método de prensagem e sinterização de pó de molibdênio é maior do que o do método (1), mas a densidade é baixa, a resistência é fraca e a estrutura de grãos apresenta um arranjo desordenado; os usuários observaram, durante o uso, que, ao laminar com wafers de silício, o material tende a trincar ou fraturar, ainda necessitando de melhorias;

(3) Perfuração de chapas de molibdênio.

  • Visão Geral
  • Produtos Recomendados

Parâmetro:

Processo laminação, recozimento a vácuo
Superfície superfície polida, superfície laminada a frio, superfície lavada com álcali
Características Alta resistência à temperatura e corrosão
Características Alta resistência à temperatura e corrosão
Teor de Molibdênio 99.95%
Especificações Personalizável

Características do produto

O disco de molibdênio é um componente circular refratário fabricado a partir de blanks de molibdênio de alta pureza por meio de forjamento, laminação, corte de precisão e acabamento superficial. Ele atua como um consumível essencial nos setores de tratamento térmico a vácuo, revestimento de semicondutores, fabricação eletrônica, fundição de terras raras e sinterização em altas temperaturas, apresentando um amplo conjunto de notáveis propriedades físicas e químicas.
Em primeiro lugar, possui uma extraordinária resistência ao calor. O ponto de fusão do molibdênio atinge 2620 °C, de modo que o disco consegue manter uma resistência mecânica estável e uma planicidade perfeita mesmo sob condições prolongadas de temperatura ultraelevada. Ele apresenta excelente resistência à fluência em altas temperaturas e não se deforma, não cede nem trinca sob ciclos repetidos de aquecimento e resfriamento. Com um coeficiente extremamente baixo de expansão térmica, suas dimensões globais permanecem praticamente inalteradas mesmo diante de variações bruscas de temperatura, garantindo uma precisão estável no usinagem de equipamentos de alta precisão.
Em termos de desempenho térmico e elétrico, o disco de molibdênio oferece condutividade térmica equilibrada e uniforme, permitindo uma distribuição uniforme de calor quando utilizado como placas resistentes ao calor em fornos a vácuo. Sua condutividade elétrica estável torna-o ideal para substratos de eletrodos e discos portadores condutores. Além disso, gera pressão de vapor desprezível em ambientes de vácuo, não liberando impurezas voláteis que possam contaminar as câmaras dos fornos ou wafers semicondutores, atendendo plenamente aos rigorosos padrões de limpeza dos processos de pulverização por esputtering de filmes finos.
Quimicamente, o disco apresenta resistência confiável à corrosão causada pela maioria dos ácidos diluídos, bases e metais não ferrosos fundidos, em temperaturas ambiente e moderadas. A oxidação praticamente não ocorre sob vácuo ou proteção com gás inerte; apenas uma leve oxidação superficial ocorre quando a temperatura ultrapassa 400 °C ao ar livre. Ele permanece inerte em relação ao vidro fundido, cerâmicas e fusões de terras raras, evitando contaminação cruzada durante os processos de sinterização e fusão.

Aplicações
A composição química da lâmina de molibdênio é estável, com teor de molibdênio de até 99,9%, dimensões precisas e baixa rugosidade superficial, podendo atingir Ra inferior a 1,6 µm; alto ponto de fusão, boa condutividade elétrica e térmica, alta resistência mecânica, coeficiente de expansão linear próximo ao do silício e excelente usinabilidade, sendo um material de substrato indispensável para conjuntos completos de retificadores de silício, dispositivos semicondutores de silício, ânodos de tubos de vácuo e fabricação de instrumentos.

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