TÜM ÜRÜNLER

Tantalum Tel

Özellik：
Ürün özellikleri:
1. Elektriksel Özellikler
LC: ≤0,10 µA/cm²
Oluşum koşulu:
Oluşum sıvısı: %0,1 H₃PO₄
Oluşum sıcaklığı: 90±2
Oluşum akımının yoğunluğu: 5 mA/cm²
Oluşum gerilimi/zaman: 225 V/30 dakika

Genel Bakış
Önerilen Ürünler

Parametre：

Ölçü çapı toleransı

Ölçü (mm)	İzin verilen çap toleransı (mm)
0,10 mm ~ 0,15 mm	±0.005
0,15 mm’den büyük ~ 0,30 mm	±0.006
0,30 mm’den büyük	±0.007

Mekanik Özellikler

Ürün Durumu	Çekim gücü MPa	Uzama %
Tavlama işlemi uygulanmış	300~600	10~30
Yarı tavlama işlemi uygulanmış	>600~1000	<5
Isıtılmamış	>1000	<5

Ürün Detayları

Tantalum tel, yüksek saflıkta tantalum ingotlarından çoklu çekme, tavlama ve yüzey işlemi prosedürleriyle işlenen ince bir refrakter metal teldir. Tantalum metalinin temel avantajlarını miras alır: son derece yüksek erime noktası, çoğu güçlü asite karşı üstün korozyon direnci, mükemmel süneklik ve kararlı yüksek sıcaklık performansı. Ürün, eşit tel çapına, pürüzsüz yüzeye, tutarlı iç tane yapısına ve düşük safsızlık içeriğine sahiptir. Yüksek vakum ve yüksek sıcaklık ortamlarında mükemmel çekme dayanımına, iyi kaynaklanabilirliğe ve kararlı elektriksel iletkenliğe sahiptir.

Tantalum teli, tüketici elektroniği, iletişim ekipmanları, otomotiv elektroniği ve havacılık uzay elektronik bileşenleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan tantalum elektrolitik kapasitörlerin üretiminde temel ham madde olarak kullanılır. Aynı zamanda vakum ısıtma elemanları, kimyasal korozyona dayanıklı tel elektrotlar, tıbbi dikiş ve implant aksesuarları, yüksek sıcaklık fırınları için filamentler ve elektronik buharlaştırma kaplama malzemeleri olarak da kullanılır. %99,9 ila %99,99 saflıkta, çeşitli çap aralıklarında ve parlak parlatılmış veya mat tavlanmış gibi farklı üretim ve laboratuvar kullanım standartlarına uyacak şekilde özelleştirilmiş yüzey durumlarında tantalum tel tedarik ediyoruz.

Uygulamalar:
Ürün özellikleri:
1. Elektriksel Özellikler
LC: ≤0,10 µA/cm²
Oluşum koşulu:
Oluşum sıvısı: %0,1 H₃PO₄
Oluşum sıcaklığı: 90±2
Oluşum akımının yoğunluğu: 5 mA/cm²
Oluşum gerilimi/zaman: 225 V/30 dakika